屠海令

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屠海令,男,汉族,1946年10月生,北京市人,1970年8月参加工作,1974年8月加入中国共产党,英国巴斯大学半导体材料物理专业毕业,研究生学历,博士学位,教授级高级工程师,博士生导师,中国工程院院士,半导体材料专家。
中文名
屠海令
国    籍
中国
民    族
汉族
出生地
北京市
出生日期
1946年10月
信    仰
中国共产党

目录

屠海令简历

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屠海令 屠海令
1964年09月至1969年08月,天津大学精仪系自动化专业学习;
1970年08月至1971年08月,天津第三半导体器件厂试制组技术员;
1971年08月至1978年09月,天津半导体技术研究所组长、室主任;
1978年09月至1979年12月,北京有色金属研究总院半导体材料专业攻读研究生;
1979年12月至1983年12月,英国巴斯大学半导体材料物理专业攻读博士学位;
1984年03月至1996年07月,北京有色金属研究总院组长、室主任、副院长(其间:1994年11月至1995年8月美国北卡罗莱纳州立大学半导体材料专业高级访问学者);
1996年07月至2009年04月,北京有色金属研究总院院长;
1999年02月至2009年05月,有研半导体材料股份有限公司董事长;
2006年04月起担任北京有色金属研究总院科技委员会主任;
2007年12月当选中国工程院院士;
2009年05月至今担任北京有色金属研究总院名誉院长;
2010年06月至今担任中国工程院化工、冶金与材料工程学部副主任。
2014年4月中国煤炭科工集团有限公司外部董事,聘期二年(2014年1月至2015年12月)。[1] 

屠海令职位

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是中国电子材料行业协会副理事长,中国有色金属学会副理事长、中国材料研究学会副理事长、中国稀土学会副理事长、SEMI中国标准化材料委员会主任等。
中共十五、十六大代表,第十一届全国人大代表,十一届全国人大财经委员会委员,第十二届、十三届北京市人大代表。[2] 

屠海令学术成果

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长期从事硅、化合物半导体及稀土半导体材料研究。研究领域包括半导体单晶生长中的传质、传热过程,硅外延生长动力学,半导体材料表面物理化学,砷化镓晶体生长新技术,三元系化合物半导体晶格动力学,稀土半导体材料结构相变,硅基半导体材料的制备技术,半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程,半导体材料检测技术等。获国家级、部级科技进步奖十余项,发表论文百余篇,出版著作五部。

屠海令荣誉

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1985年获有突出贡献回国留学人员表彰奖
国家高技术材料专家委员会个人表彰奖
国家攻关先进个人奖等
1993年获政府特殊津贴
1996年获国家有突出贡献中青年专家称号
2001年获全国五一劳动奖章
2004年荣获何梁何利基金科学与技术进步奖
参考资料
词条标签:
研究员 教授